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Prodotti
- Saldatrice a punti DC Inverter 5000A
- Saldatrice a punti ad accumulo di energia 8000A
- Forno di tempra tubolare verticale ad alta temperatura da laboratorio 1200C per trattamento termico
- 1500 Forno tubolare di tempra per lo studio della trasformazione delle fasi dei materiali da laboratorio
- Macchina per la polimerizzazione UV a luce LED UV portatile portatile da 2KW
- Macchina di rivestimento intermittente dell'elettrodo della batteria per la linea di produzione
- camera di prova programmabile di temperatura e umidità con guanti
- Forno di sollevamento a mini camera ad alta temperatura 1700°C
- Pressa idraulica manuale da laboratorio 24T per la pressatura di pellet in polvere
- Tester ambientale e climatico per camera di prova di umidità a temperatura ridotta da 80 litri
- Linea di assemblaggio Semi-Auo per batterie a celle cilindriche per 14500 18650 21700 26650 32650 celle cilindriche
- 21700 18650 32650 32700 26650 linea di laboratorio cilindrica piccola linea di prova per la ricerca sulle batterie
- Linea automatica di attrezzature per la produzione di celle a sacchetto per la produzione di batterie agli ioni di litio
- Macchina automatica per il riempimento di elettroliti
- Foglio di schiuma di rame in schiuma di rame microporosa da 0,05 mm
- foglio di litio (spessore 0,75 mm x 19 mm larghezza x 3000 mm l) per batteria agli ioni di litio ricerca e sviluppo
- Miscelatore di miscelazione di polveri nanometriche tridimensionali da laboratorio
- Glove Box sottovuoto a doppia postazione di lavoro a lato singolo (1800 × 750 mm) con sistema di purificazione H2O e O2
- Target a cristallo singolo Si, drogato P (100) 3" x 4,0 mm, non lucidato-TG-SiPa76D40CN
- Target a cristallo singolo Si, tipo N, non drogato, (100) ori., 3'' dia x 6,0 mm, macinato fine, R1000 ohm.cm-TG-SiU76D60CN
- Obiettivo ZnS, 99,99%, 4" dia x 1/8" con piastra di supporto in rame
- Target a cristallo singolo Si, tipo N, non drogato 4"x0,25", non lucidato R:1000 ohm.cm- TG-GaN15D30CN
- PbS Target con supporto in rame e piastra di rivestimento, purezza:99,99%
- Monocristallo di MgO per evaporazione, 5x5x5 mm al taglio
- Monocristallo MgF2 per evaporazione, unità 2.8-6mmm: Gram
- Bersaglio LiNiCoMnO2 per catodo di batteria a film sottile
- Bersaglio LiMn2O4 per catodo di batteria a film sottile
- Obiettivo LiFePO4 per catodo di batteria a film sottile
- Monocristallo di GaAs per evaporazione, 5x5x5 mm al taglio
- Monocristallo CdWO4 per evaporazione, 5x5x5 mm al taglio
- Monocristallo CaF2 per evaporazione, 5x5x5 mm al taglio
- Obiettivo GaN, 99,99% 15 mm x 3,0 mm, TG-GaN15D30CN
- Target ceramico conduttivo (1" Dx 0,3 mm t ) Li1.5Al0.5Ge1.5P3O12