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Prodotti
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- Target in ceramica con ossido di zinco drogato al gallio (GZO) (drogante al 3,4%), 99,99%, 6,9'' x 4,3'' x 0,2''
- Obiettivo di elevata purezza Iridium (Ir).
- Target in oro ad alta purezza (Au).
- Target per sputtering in rame (Cu) ad elevata purezza
- Target in argento (Ag) ad elevata purezza
- Bersaglio con piastra di supporto in rame
- Obiettivo di ossido di zinco (ZnO) di elevata purezza
- Ceramica di elevata purezza SrTiO3 Target 1" Dia x 0,25" di spessore
- Target di seleniuro di piombo (PbSe) ad elevata purezza, 2,003" dia x 0,129"
- Obiettivo di alluminio ad alta purezza (Al), 99,99%
- Target in ossido di alluminio (AL2O3) ad alta purezza 99,99%, 2" dia. x 2 mm
- Obiettivo Pt, 99,99% 2"x3,0 mm
- Obiettivo SrTiO3, 99,99% 2" diametro x 0,25" spessore ceramica-TG-STO-50D0635-US
- Obiettivo SrRuO3 99,9% 2 "dia x 0,25" spessore-TG-SrRuO3-50D06-US5
- Obiettivo Cu(9)In(11), Purezza: 99,99%, 4" dia.x 0,125"
- Target a cristallo singolo Si, drogato P (100) 3" x 4,0 mm, non lucidato-TG-SiPa76D40CN
- Target a cristallo singolo Si, tipo N, non drogato, (100) ori., 3'' dia x 6,0 mm, macinato fine, R1000 ohm.cm-TG-SiU76D60CN
- Obiettivo ZnS, 99,99%, 4" dia x 1/8" con piastra di supporto in rame
- Target a cristallo singolo Si, tipo N, non drogato 4"x0,25", non lucidato R:1000 ohm.cm- TG-GaN15D30CN
- PbS Target con supporto in rame e piastra di rivestimento, purezza:99,99%
- Monocristallo di MgO per evaporazione, 5x5x5 mm al taglio
- Monocristallo MgF2 per evaporazione, unità 2.8-6mmm: Gram
- Bersaglio LiNiCoMnO2 per catodo di batteria a film sottile
- Bersaglio LiMn2O4 per catodo di batteria a film sottile
- Obiettivo LiFePO4 per catodo di batteria a film sottile
- Monocristallo di GaAs per evaporazione, 5x5x5 mm al taglio
- Monocristallo CdWO4 per evaporazione, 5x5x5 mm al taglio
- Monocristallo CaF2 per evaporazione, 5x5x5 mm al taglio
- Obiettivo GaN, 99,99% 15 mm x 3,0 mm, TG-GaN15D30CN
- Target ceramico conduttivo (1" Dx 0,3 mm t ) Li1.5Al0.5Ge1.5P3O12
- BiFeO3 Target, 3" Dia x 0,125" Spessore legame alla piastra di supporto in rame (Cu) (0,111" di spessore)
- Monocristallo Al2O3 per evaporazione, purezza 99,99%, 5x5x5 mm al taglio
- Target Al2O3, purezza: 99,99%, 6,9 "x8,9" x 0,25 "di spessore , Target-Al2O3-172-222-0635CN
- Obiettivo Ba0.5Sr0.5TiO3, 99,99%
- Obiettivo Zr, 99,99%, 8,9"x6,9"x0,25",TG-Zr-222-172-0635CN
- Obiettivo Cu(1%Ga), purezza: 99,99% 4" dia. x0,25"
- Target Cd, purezza: 99,999% 2"dia. x1/8" con piastra di supporto in rame
- Target in acciaio inossidabile ad alta purezza, 2" dia.x 0,3 mm